Browsing Génie by Subject "Ultra-thin body (UTB)"
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Fabrication et caractérisation de MOSFET III-V à faible bande interdite et canal ultra mince
(Université de Sherbrooke, 2017)Les MOSFETs ultra-thin body UTB ont été fabriqués avec une technologie auto-alignée. Le canal conducteur est constitué d’InGaAs à 75% de taux d’indium ou d’un composite InAs/In0,53Ga0,47As. Une fine couche d'InP (3 nm) a ...