Browsing Génie by Subject "3D monolithic integration"
Now showing documents 1-3 of 3
-
3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors
Other titre : Intégration 3D de dispositifs SET dans le Back-End-Of-Line en technologies CMOS 28 nm pour le développement de capteurs ultra basse consommation(Université de Sherbrooke, 2016)La forte demande et le besoin d’intégration hétérogène de nouvelles fonctionnalités dans les systèmes mobiles et autonomes, tels que les mémoires, capteurs, et interfaces de communication doit prendre en compte les ... -
Développement de procédés technologiques pour une intégration 3D monolithique de dispositifs nanoélectroniques sur CMOS
(Université de Sherbrooke, 2016)Résumé : Le transistor monoélectronique (SET) est un dispositif nanoélectronique très attractif à cause de son ultra-basse consommation d’énergie et sa forte densité d’intégration, mais il n’a pas les capacités suffisantes ... -
Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS
(Université de Sherbrooke, 2018)Les dispositifs mémoires résistives, notamment ceux à base d’oxyde de commutation OxRRAM, se placent parmi les dispositifs mémoires émergentes les plus attractifs pour remplacer les technologies dynamic random acces memory ...