Browsing Génie by Subject "1T1R configuration"
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Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS
(Université de Sherbrooke, 2018)Les dispositifs mémoires résistives, notamment ceux à base d’oxyde de commutation OxRRAM, se placent parmi les dispositifs mémoires émergentes les plus attractifs pour remplacer les technologies dynamic random acces memory ...