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Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence
(Université de Sherbrooke, 2015)Résumé: Parmi les technologies du 21e siècle en pleine expansion, la télécommunication sans-fil constitue une dimension fondamentale pour les réseaux mobiles, l’aéronautique, les applications spatiales et les systèmes de ... -
Commutation de puissance haute fréquence basée sur la technologie a large bande interdite
(Université de Sherbrooke, 2018)Depuis la première moitié du XXème siècle, l’électronique de puissance est de plus en plus présente dans le monde industriel et personnel. Cette présence s’explique par plusieurs facteurs. Pour n’en citer que certains, les ... -
Conception d'un transistor vertical à base de Nitrure de Gallium
(Université de Sherbrooke, 2018)Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur devenu suffisamment mature en termes de qualité du matériau et des procédés technologiques pour être utilisé dans des applications en (opto-)électronique. Ses propriétés ... -
Conception de puces multi-fonctions MMIC GaN en bande Ka
(Université Paul Sabatier, 2019)La réduction de taille des technologies actives permet d’envisager des applications vers des fréquences toujours plus élevées. Cependant, l’exploitation de ces bandes de fréquences nécessite une redéfinition fondamentale ... -
Conception et réalisation de capteurs de gaz antipollution à base de Nitrure de Gallium pour application automobile
(Université de Sherbrooke, 2020)Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite ayant des propriétés physiques exceptionnelles. C’est un matériau très convoité pour la réalisation de dispositifs en électronique de puissance ... -
Conception et réalisation des bobines PCB à base de matériau magnétique souple pour des convertisseurs HF
(Université de Sherbrooke, 2019)L'arrivée sur le marché des transistors au Nitrure de Gallium (GaN) permet l'augmentation de la fréquence de commutation des convertisseurs statiques. La conséquence directe est la réduction des dimensions des composants ... -
Contribution aux analyses de fiabilité des transistors HEMTs GaN ; exploitation conjointe du modèle physique TCAD et des stress dynamiques HF pour l’analyse des mécanismes de dégradation
(Université de Sherbrooke, 2018)Dans la course aux développements des technologies, une révolution a été induite par l’apparition des technologies Nitrures depuis deux décennies. Ces technologies à grande bande interdite proposent en effet une combinaison ... -
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l’épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium
(Université de Sherbrooke, 2016)Dans le domaine des semi-conducteurs, la technologie silicium (principalement l’architecture CMOS) répond à la majorité des besoins du marché et, de ce fait, elle est abondamment utilisée. Ce semi-conducteur profite d’une ... -
Développement de capteurs THz utilisant l'hétérostructure AlGaN/GaN
(Université de Sherbrooke, 2017)Le domaine du spectre électromagnétique correspondant aux fréquences térahertz est encore peu exploité, pourtant, les applications nécessitant la génération, l’amplification ou la détection d’un signal térahertz sont ... -
Développement d’un procédé de gravure et de métallisation de vias face arrière d’un substrat de silicium destinés à la fabrication de transistors de puissance GaN
(Université de Sherbrooke, 2019)Les transistors à base de nitrure de gallium (GaN) sur substrat de silicium connaissent un engouement croissant. Les propriétés électriques exceptionnelles de ce semiconducteur permettent de l’utiliser pour des applications ... -
Étude et contribution à l’optimisation de la commande des HEMTs GaN
(Université de Sherbrooke, 2020)Cette thèse s'inscrit dans un contexte de développement durable où les enjeux énergétiques consistent à concevoir des convertisseurs de puissance plus disséminés, donc avec une spécification ambitieuse en termes de densités ... -
Fabrication et caractérisation de MOSFET III-V à faible bande interdite et canal ultra mince
(Université de Sherbrooke, 2017)Les MOSFETs ultra-thin body UTB ont été fabriqués avec une technologie auto-alignée. Le canal conducteur est constitué d’InGaAs à 75% de taux d’indium ou d’un composite InAs/In0,53Ga0,47As. Une fine couche d'InP (3 nm) a ... -
Gravure de semiconducteurs à large bande interdite III-N pour les transistors Normally-OFF à base de GaN/Algan
(Université de Sherbrooke, 2018)Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite utilisé en optoélectronique et dans les dispositifs de puissance et/ou haute fréquence. Les matériauxbinaires III-N à large bande interdite sont ... -
Mesure de la température de transistors de type HEMT AlGaN/GaN en régime de fonctionnement hyperfréquence
(Université de Sherbrooke, 2018)Le développement de composants de puissance pour les applications hyperfréquence représente un formidable défi qui doit conduire à l’amélioration des systèmes radars, spatiales ou de télécommunications existants. Les ... -
Modélisation distribuée et évolutive du GaN HEMT
(Université de Sherbrooke, 2020)L’industrie de télécommunication et les satellites se base majoritairement sur les technologies Si et GaAs. La demande croissante des hauts débits de données entraine une facture élevée en énergie. En outre, la saturation ... -
Réalisation de composants passifs à base de technologie AlGaN/GaN pour des applications millimétriques
(Université de Sherbrooke, 2014)Les demandes du marché sont toujours plus exigeantes dans le domaine de la micro- électronique. Les besoins en termes de fréquence de fonctionnement (> 10GHz) des dispositifs ainsi qu'en termes de puissance délivrée (> ... -
Réalisation de transistors à haute mobilité électronique à enrichissement à base d’hétérostructure AlGaN/GaN pour les applications en électronique de puissance
(Université de Sherbrooke, 2018)Les semiconducteurs à large bande interdite III-N sont des matériaux exceptionnels de par leurs propriétés physico-chimiques. Ils constituent une solution pour répondre aux défis mondiaux actuels en permettant d’améliorer ...
