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dc.contributor.advisorPratte, Jean-François
dc.contributor.advisorFontaine, Réjean
dc.contributor.authorRhéaume, Vincent-Philippefr
dc.date.accessioned2015-12-15T19:58:26Z
dc.date.available2015-12-15T19:58:26Z
dc.date.created2015fr
dc.date.issued2015-12-15
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/8141
dc.description.abstractLes travaux présentés dans ce mémoire s'inscrivent dans le contexte du Groupe de Recherche en Appareillage Médical de Sherbrooke (le GRAMS), qui cherche à développer des capteurs de photons plus sensibles et plus performants, destinés à être utilisés pour détecter des photons provenant de cristaux scintillateurs notamment utilisés en tomographie d'émission par positrons. L'objectif principal du travail accompli est de faciliter la caractérisation de diodes monophotoniques à avalanche (single-photon avalanche diodes, SPAD) développées sur une technologie CMOS. Cette caractérisation couvre ce qui a trait à l'efficacité de photodétection, la résolution temporelle, les fausses détections, le redéclenchement intempestif, et la diaphonie. Un objectif optionnel est la mise au point d'un circuit réalisant la lecture d'une matrice de SPAD co-intégrée à l'aide d'un procédé d'empilement de circuits intégrés en 3D (3DIC). Ce mémoire de maîtrise présente les circuits électroniques intégrés (sur procédé CMOS 0,8μm haut voltage) et imprimés faisant partie du système électronique mis sur pied pour répondre aux objectifs du projet. Tel qu'il est démontré vers la fin du mémoire, le système a été utilisé pour caractériser des SPAD. Il a permis d'atteindre des performances dignes de l'état de l'art en circuits de contrôle de SPAD. Des améliorations au système sont proposées et seront implémentées sur des versions ultérieures.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Vincent-Philippe Rhéaumefr
dc.rightsAttribution - Pas d’Utilisation Commerciale - Partage dans les Mêmes Conditions 2.5 Canada*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ca/*
dc.subjectTomographie d'émission par positronsfr
dc.subjectPhotodétecteurfr
dc.subjectPhotodiode avalanche monophotoniquefr
dc.subjectCMOS haut voltagefr
dc.subjectMatrice de SPADfr
dc.subjectIntégration 3Dfr
dc.titleCircuits d'instrumentation intégrés pour caractérisation de diodes monophotoniques à avalanche en technologie CMOS haute tension 0,8 μmfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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