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dc.contributor.advisorPratte, Jean-Françoisfr
dc.contributor.authorBoisvert, Alexandrefr
dc.date.accessioned2015-02-23T18:27:46Z
dc.date.available2015-02-23T18:27:46Z
dc.date.created2014fr
dc.date.issued2014fr
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/6153
dc.description.abstractLe Groupe de Recherche en Appareillage Médical de Sherbrooke (GRAMS) travaille actuellement sur un programme de recherche portant sur des photodiodes à avalanche monophotoniques (PAMP) opérées en mode Geiger en vue d'une application à la tomographie d’émission par positrons (TEP). Pour opérer dans ce mode, la PAMP, ou SPAD selon l’acronyme anglais (Single Photon Avalanche Diode), requiert un circuit d'étouffement (CE) pour, d’une part, arrêter l’avalanche pouvant causer sa destruction et, d’autre part, la réinitialiser en mode d’attente d’un nouveau photon. Le rôle de ce CE comprend également une électronique de communication vers les étages de traitement avancé de signaux. La performance temporelle optimale du CE est réalisée lorsqu’il est juxtaposé à la PAMP. Cependant, cela entraîne une réduction de la surface photosensible ; un élément crucial en imagerie. L’intégration 3D, à base d'interconnexions verticales, offr une solution élégante et performante à cette problématique par l’empilement de circuits intégrés possédant différentes fonctions (PAMP, CE et traitement avancé de signaux). Dans l’approche proposée, des circuits d’étouffement de 50 [mu]m x 50 [mu]m réalisés sur une technologie CMOS 130 nm 3D Tezzaron, contenant chacun 112 transistors, sont matricés afin de correspondre à une matrice de PAMP localisée sur une couche électronique supérieure. Chaque circuit d'étouffement possède une gigue temporelle de 7,47 ps RMS selon des simulations faites avec le logiciel Cadence. Le CE a la flexibilité d'ajuster les temps d'étouffement et de recharge pour la PAMP tout en présentant une faible consommation de puissance ( ~ 0,33 mW à 33 Mcps). La conception du PAMP nécessite de supporter des tensions supérieures aux 3,3 V de la technologie. Pour répondre à ce problème, des transistors à drain étendu (DEMOS) ont été réalisés. En raison de retards de production par les fabricants, les circuits n’ont pu être testés physiquement par des mesures. Les résultats de ce mémoire sont par conséquent basés sur des résultats de simulations avec le logiciel Cadence.fr
dc.language.isofrfr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Alexandre Boisvertfr
dc.subjectTomographie d'émission par positrons (TEP)fr
dc.subjectCMOS 130 nm 3D Tezzaron/Charteredfr
dc.subjectDrain-Extended MOS (DEMOS)fr
dc.subjectIntégration 3D hétérogènefr
dc.subjectSingle Photon Avalanche Diode (SPAD)fr
dc.subjectPhotodiodes à avalanche monophotoniques (PAMP)fr
dc.subjectCircuit d'étouffementfr
dc.titleConception d'un circuit d'étouffement pour photodiodes à avalanche en mode Geiger pour intégration hétérogène 3Dfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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