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dc.contributor.advisorDrouin, Dominiquefr
dc.contributor.authorGuilmain, Marcfr
dc.date.accessioned2015-02-23T18:18:39Z
dc.date.available2015-02-23T18:18:39Z
dc.date.created2013fr
dc.date.issued2013fr
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/6127
dc.description.abstractLes transistors monoélectroniques (SET) sont des dispositifs de tailles nanométriques qui permettent la commande d'un électron à la fois et donc, qui consomment peu d'énergie. Une des applications complémentaires des SET qui attire l'attention est son utilisation dans des circuits de mémoire. Une mémoire monoélectronique (SEM) non volatile a le potentiel d'opérer à des fréquences de l'ordre des gigahertz ce qui lui permettrait de remplacer en même temps les mémoires mortes de type FLASH et les mémoires vives de type DRAM. Une puce SEM permettrait donc ultimement la réunification des deux grands types de mémoire au sein des ordinateurs. Cette thèse porte sur la fabrication de mémoires monoélectroniques non volatiles. Le procédé de fabrication proposé repose sur le procédé nanodamascène développé par C. Dubuc et al. à l'Université de Sherbrooke. L'un des avantages de ce procédé est sa compatibilité avec le back-end-of-line (BEOL) des circuits CMOS. Ce procédé a le potentiel de fabriquer plusieurs couches de circuits mémoirestrès denses au-dessus de tranches CMOS. Ce document présente, entre autres, la réalisation d'un simulateur de mémoires monoélectroniques ainsi que les résultats de simulations de différentes structures. L'optimisation du procédé de fabrication de dispositifs monoélectroniques et la réalisation de différentes architectures de SEM simples sont traitées. Les optimisations ont été faites à plusieurs niveaux : l'électrolithographie, la gravure de l'oxyde, le soulèvement du titane, la métallisation et la planarisation CMP. La caractérisation électrique a permis d'étudier en profondeur les dispositifs formés de jonction de Ti/TiO2 et elle a démontré que ces matériaux ne sont pas appropriés. Par contre, un SET formé de jonction de TiN/Al2 O3 a été fabriqué et caractérisé avec succès à basse température. Cette démonstration démontre le potentiel du procédé de fabrication et de la déposition de couche atomique (ALD) pour la fabrication de mémoires monoélectroniques.[symboles non conformes]fr
dc.language.isofrfr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Marc Guilmainfr
dc.subjectPlanarisation chimico-mécaniquefr
dc.subjectÉlectrolithographiefr
dc.subjectNanofabricationfr
dc.subjectTemps de rétentionfr
dc.subjectJonction tunnelfr
dc.subjectMémoire monolectronique (SEM)fr
dc.subjectTransistor monoélectronique (SET)fr
dc.titleFabrication de mémoire monoélectronique non volatile par une approche de nanogrille flottantefr
dc.typeThèsefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelDoctoratfr
tme.degree.namePh.D.fr


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