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dc.contributor.advisorArès, Richard
dc.contributor.authorPaquette, Bernardfr
dc.date.accessioned2015-02-19T16:35:53Z
dc.date.available2015-02-19T16:35:53Z
dc.date.created2015fr
dc.date.issued2015-02-19
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/6073
dc.description.abstractL'énergie solaire est une source d'énergie renouvenable, peu polluante, disponible universellement et abondante. Elle est donc une solution de choix pour résoudre les problèmes énergétiques et environnementaux de l'humanité. Cependant, les panneaux solaires couramment utilisés pour transformer l'énergie solaire en électricité sont encore trop dispendieux pour une utilisation répandue. L'utilisation de lumière concentrée se veut une méthode de réduire les coûts de l'électricité produite, mais cette réduction n'est pas encore atteinte. Ce projet propose d'explorer des matériaux et des structures semiconductrices fabriqués par épitaxie par jets chimiques qui pourraient être utilisés dans des cellules solaires optimisées pour la très haute concentration. En premier lieu, plusieurs designs de cellules solaires sont simulés avec une approche multiphysique pour identifier des structures permettant de minimiser les coûts de l'électricité à travers une maximisation du facteur de concentration. Basé sur ces structures de cellules solaires, plusieurs designs de jonctions tunnels sont simulés et une jonction tunnel standard (GaAs:Te/AlGaAs:C) est choisie. Le GaAs dopé au Te présente un problème de morphologie de surface à haut dopage. Ce problème est étudié et éliminé à travers l'optimisation des conditions de croissance. Dans le cas de l'AlGaAs dopé au C, le niveau de dopage est maximisé à travers l'utilisation d'un précurseur chimique qui n'est pas utilisé en CBE, le TMA. Suite à l'optimisation de ces deux matériaux, des jonctions tunnels avec d'excellentes performances sont crûes. Par la suite, une tentative de croissance de jonction tunnel GaInP/AlGaAs avec des boîtes quantiques en InAs permet d'améliorer le courant tunnel par rapport à une jonction tunnel sans boîtes, mais sans atteindre des performances satisfaisantes pour l'inclusion dans une cellule solaire. Ensuite, un matériau alternatif pouvant servir de jonction p-n dans les structures de cellules solaires, le GaInAsP, est caractérisé par photoluminescence pour explorer l'effet des paramètres de croissance sur la séparation de phase et l'influence de cette séparation sur les propriétés du matériau. On en découvre qu'une forte séparation de phase induit la présence d'états localisés sous le bandgap qui affecterait les performances d'une cellule solaire. Ensuite, il est démontré que le dopage de type n idéal est le Te alors que celui de type p est au Zn. Cependant, les temps de vie obtenus pour le GaInAsP dopé n ou p sont très bas et donneraient de mauvaises performances de cellules solaires. Ces temps de vie sont néamoins meilleurs que ceux obtenus pour l'AlGaAs, l'alternative au GaInAsP.fr
dc.language.isofrefr
dc.language.isoengfr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Bernard Paquettefr
dc.rightsAttribution - Pas d’Utilisation Commerciale - Partage dans les Mêmes Conditions 2.5 Canada*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ca/*
dc.subjectÉpitaxie par jets chimiquesfr
dc.subjectInGaAsPfr
dc.subjectAlGaAsfr
dc.subjectQuaternairefr
dc.subjectPhotovoltaïquefr
dc.subjectConcentrationfr
dc.subjectJonctions tunnelsfr
dc.titleCroissance de matériaux et structures semiconductrices appliqués aux cellules photovoltaïques à très haute concentration par épitaxie par jets chimiques.fr
dc.typeThèsefr
tme.degree.disciplineGénie mécaniquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelDoctoratfr
tme.degree.namePh.D.fr


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