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dc.contributor.advisorDrouin, Dominique
dc.contributor.advisorCharlebois, Serge
dc.contributor.authorBourque, Frédéricfr
dc.date.accessioned2014-09-16T13:37:34Z
dc.date.available2014-09-16T13:37:34Z
dc.date.created2014fr
dc.date.issued2014-09-16
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/5845
dc.description.abstractLe transistor monoélectronique, SET ou single-electron transistor, a été considéré comme étant l’une des alternatives au CMOS lorsqu’il atteindra le « mur technologique ». Le SET se caractérise comme un dispositif ultra faible puissance et nanométrique, mais son faible gain et sa grande dépendance à la température ont fait en sorte que la technologie SET a perdu du momentum vis-à-vis la communauté scientifique. Cependant, en ne considérant pas la technologie SET comme une remplaçante du MOSFET, mais comme quelque chose qui permettrait d’ajouter des fonctionnalités aux circuits CMOS, elle semble être très prometteuse. Cette niche est habituellement appelée l’hybridation SET-CMOS. Ce mémoire débute par une validation des circuits hybrides SET-CMOS présents dans la littérature en remplaçant le modèle de simulation de SET par un modèle beaucoup plus réaliste. De ces circuits hybrides, aucun ne fonctionnera étant donné les courants de fuite trop importants. Le re-design de ces circuits avec ces architectures a été fait avec le bon modèle SET et une technologie CMOS 22 nm, mais leurs performances n’ont pas suffi pour démontrer leur bon fonctionnement (Plage de tension de sortie très faible, aucune bande passante, circuits incomplets, forte dépendance du circuit à ce qui est connecté à la sortie, etc.). Cela a amené à la création de deux nouvelles architectures de circuits de lecture hybrides SET-CMOS. Chaque circuit est conçu avec une technologie CMOS 22 nm. L’une des architectures est principalement adaptée à une application de dispositif capteur SET, où le SET serait éloigné d’un circuit CMOS. Dans l’exemple démontré, le circuit avec le capteur SET donne une sensibilité de 8.4 V par électron peu importe la charge connectée à la sortie du circuit. La nouvelle architecture inventée servirait d’étage tampon entre un circuit numérique fait de SET et un circuit numérique CMOS conventionnel. Dans la littérature, les circuits numériques SET n’ont pas de charge typique lors de leur simulation (ex : un inverseur CMOS), ce qui fausse les résultats en promettant une fréquence haute d’opération impossible à atteindre lors d’une utilisation typique. Ce circuit de lecture numérique fait la lecture du circuit numérique SET, fait le passage entre les deux alimentations différentes et est en mesure de supporter un inverseur CMOS conventionnel à 440 MHz. La consommation de ce circuit n’est que de 5.3 nW lors d’une utilisation à 200 MHz. Cette faible consommation est tout à fait en phase avec l’utilisation de circuits numériques SET qui consomment très peu. Chaque nouvelle architecture inventée a été simulée avec l’ensemble des effets parasites que les interconnexions apportent aux circuits. Les simulations procurent ainsi des résultats plus réalistes. Un procédé de fabrication de circuits hybrides SET-CMOS, où les dispositifs SET sont fabriqués sur le BEOL des puces CMOS avancées, a été développé et testé. Il intègre le procédé nanodamascène, pour la fabrication des nanodispositifs, et la fabrication d’interconnexions/vias afin de relier le CMOS avec les SET. Une démarche pour la validation des dispositifs CMOS a aussi dû être développée et testée. Afin de s’adapter aux dispositifs CMOS à notre disposition, une conception de circuit hybride SET-CMOS a été faite. La fabrication d’un premier prototype recréant un circuit hybride SET-CMOS fût réalisée.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Frédéric Bourquefr
dc.subjectSingle-electron transistorfr
dc.subjectCircuits hybrides SET-CMOSfr
dc.subjectIntégration 3Dfr
dc.titleConception de circuits de lecture adaptés à des dispositifs monoélectroniquesfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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