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dc.contributor.advisorAimez, Vincentfr
dc.contributor.advisorJaouad, Abdelatiffr
dc.contributor.authorHomier, Ramfr
dc.date.accessioned2014-09-09T14:15:04Z
dc.date.available2014-09-09T14:15:04Z
dc.date.created2012fr
dc.date.issued2012fr
dc.identifier.isbn9780494916797fr
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/5526
dc.description.abstractDans le contexte environnemental actuel, le photovoltaïque bénéficie de l'augmentation des efforts de recherche dans le domaine des énergies renouvelables. Pour réduire le coût de la production d'électricité par conversion directe de l'énergie lumineuse en électricité, le photovoltaïque concentré est intéressant. Le principe est de concentrer une grande quantité d'énergie lumineuse sur des petites surfaces de cellules solaires multi-jonction à haute efficacité. Lors de la fabrication d'une cellule solaire, il est essentiel d'inclure une méthode pour réduire la réflexion de la lumière à la surface du dispositif. Le design d'un revêtement antireflet (ARC) pour cellules solaires multi-jonction présente des défis à cause de la large bande d'absorption et du besoin d'égaliser le courant produit par chaque sous-cellule. Le nitrure de silicium déposé par PECVD en utilisant des conditions standards est largement utilisé dans l'industrie des cellules solaires à base de silicium. Cependant, ce diélectrique présente de l'absorption dans la plage des courtes longueurs d'onde. Nous proposons l'utilisation du nitrure de silicium déposé par PECVD basse fréquence (LFSiN) optimisé pour avoir un haut indice de réfraction et une faible absorption optique pour l'ARC pour cellules solaires triple-jonction III-V/Ge. Ce matériau peut aussi servir de couche de passivation/encapsulation. Les simulations montrent que l'ARC double couche SiO[indice inférieur 2]/LFSiN peut être très efficace pour réduire les pertes par réflexion dans la plage de longueurs d'onde de la sous-cellule limitante autant pour des cellules solaires triple-jonction limitées par la sous-cellule du haut que pour celles limitées par la sous-cellule du milieu. Nous démontrons aussi que la performance de la structure est robuste par rapport aux fluctuations des paramètres des couches PECVD (épaisseurs, indice de réfraction).fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Ram Homierfr
dc.subjectPECVDfr
dc.subjectNitrure de solicium (Si[indice inférieur x]N[indice inférieur y])fr
dc.subjectPassivation des semiconducteurs III-Vfr
dc.subjectRevêtement antireflet (ARC)fr
dc.subjectCellules solaires multi-jonction (MJSC)fr
dc.subjectPhotovoltaïque concentré (CPV)fr
dc.titleRevêtements antireflet-passivation à base de nitrure de silicium PECVD pour cellules solaires triple-jonction III-V /GEfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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