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dc.contributor.advisor[non identifié]fr
dc.contributor.authorBourque, Hugofr
dc.date.accessioned2014-05-16T15:35:50Z
dc.date.available2014-05-16T15:35:50Z
dc.date.created2005fr
dc.date.issued2005fr
dc.identifier.isbn9780494172841fr
dc.identifier.urihttp://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4667
dc.description.abstractCe mémoire présente les principales étapes de la mise en place d'un système de spectroscopie pompe-sonde en transmission ainsi que les résultats expérimentaux obtenus à l'aide de cette méthode sur des structures à fils quantiques d'InAs/InAlAs/InP. Les dimensions de ces fils sont de quelques nanomètres seulement. Ces structures sont réalisées à l'aide d'une méthode de croissance appelée auto-organisée et sont optimisées pour la conception de dispositifs opto-électroniques pour les télécommunications par fibre optique à 1,55 * m . Nous avons considéré trois séries d'échantillons afin d'étudier les effets (i) de la pression d'arsenic durant la croissance, (ii) de l'épaisseur des barrières d'InAlAs et (iii) du dopage, sur la dynamique des porteurs en excès. Pour tous les échantillons, nous avons observé des temps de capture/relaxation des porteurs très courts (<7 ps) que nous avons attribuées à la forte densité des fils. Les temps de recombinaison de ces porteurs varient sensiblement d'un échantillon à l'autre. Les deux premières séries d'échantillons permettent de constater que la pression d'arsenic et l'épaisseur des barrières ont un effet notable sur le temps de recombinaison."--résumé abrégé par UMI.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Hugo Bourquefr
dc.titleÉtude par spectroscopie pompe-sonde de la dynamique des porteurs de charges dans des nanostructures d'InAs/InAlAs/InPfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplinePhysiquefr
tme.degree.grantorFaculté des sciencesfr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc.fr


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