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dc.contributor.advisorBeerens, Jeanfr
dc.contributor.advisorBeauvais, Jacquesfr
dc.contributor.authorLavallée, Ericfr
dc.date.accessioned2014-05-16T15:26:33Z
dc.date.available2014-05-16T15:26:33Z
dc.date.created1996fr
dc.date.issued1996fr
dc.identifier.isbn0612217841fr
dc.identifier.urihttp://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4331
dc.description.abstractCe mémoire porte sur la fabrication et la caractérisation de points de contacts quantiques et d'îles de Coulomb. Dans un premier temps, on y expose les bases théoriques nécessaires à la compréhension du comportement d'un gaz d'électrons bidimensionnel ainsi que de dispositifs tels que le point de contact quantique et l'île de Coulomb. Par la suite, la technique de lithographie par faisceau d'électrons utilisée pour la fabrication des nanostructures y est expliquée. L'utilisation du poly (méthyle méthacrylate) en combinaison avec différents solvants, des techniques d'évaporation de couches minces de métal ainsi que des techniques de gravure humide de matériaux III-V sont discutées. Ces techniques sont utilisés sur une hétérojonction GaAs-AlGaAs de haute mobilité pour fabriquer des points de contacts quantiques et des îles de Coulomb. Enfin, des mesures de transport électrique de points de contacts quantiques sont présentées. Ces résultats sont analysés et on démontre la présence en champ magnétique d'effets tunnels qui modifient le comportement du point de contact quantique.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Éric Lavalléefr
dc.subjectNanostructures
dc.subjectLithographie par faisceau d'électrons
dc.titleFabrication et étude de propriétés électriques de nanostructuresfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplinePhysiquefr
tme.degree.grantorFaculté des sciencesfr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM.A.fr


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