Fabrication et étude de propriétés électriques de nanostructures

Abstract

Ce mémoire porte sur la fabrication et la caractérisation de points de contacts quantiques et d'îles de Coulomb. Dans un premier temps, on y expose les bases théoriques nécessaires à la compréhension du comportement d'un gaz d'électrons bidimensionnel ainsi que de dispositifs tels que le point de contact quantique et l'île de Coulomb. Par la suite, la technique de lithographie par faisceau d'électrons utilisée pour la fabrication des nanostructures y est expliquée. L'utilisation du poly (méthyle méthacrylate) en combinaison avec différents solvants, des techniques d'évaporation de couches minces de métal ainsi que des techniques de gravure humide de matériaux III-V sont discutées. Ces techniques sont utilisés sur une hétérojonction GaAs-AlGaAs de haute mobilité pour fabriquer des points de contacts quantiques et des îles de Coulomb. Enfin, des mesures de transport électrique de points de contacts quantiques sont présentées. Ces résultats sont analysés et on démontre la présence en champ magnétique d'effets tunnels qui modifient le comportement du point de contact quantique.