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AuthorEl Alaoui Lamrani, Hassan (2)Audet, Yves (1)Beerens, Jean (1)Bernier, Guy (1)Carbonneau, Yves (1)... View MoreSubject
Semi-conducteurs (30)
Électronique de l'état solide (9)Arséniure de gallium (7)Physique de l'état solide (4)Anisotropie--Cristaux (3)... View MorePublication date1990 - 1996 (13)1980 - 1989 (17)Types of documentMémoire (30)xmlui.ArtifactBrowser.AdvancedSearch.type_degreeDisciplinePhysique (30)

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Fabrication et caractérisation de la diode Schottky Pt/a-Si:H/c-Ge

Jean, Claude (Université de Sherbrooke, 1991)
Comme étude préliminaire au projet de fabrication de transistors MESFET avec grille Pt/a-Si:H/GaInAs, nous avons fabriqué et caractérisé la structure Pt/a-Si:H/c-Ge. Dans cette structure, le a-Si:H est inséré entre le ...
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Étude du composé GaInAs/GaAs par des méthodes magnéto-optiques dans l'infra-rouge lointain

Helal, Philippe (Université de Sherbrooke, 1991)
Le travail présenté ici constitue une étude magnéto-optique dans l'infra-rouge lointain de six échantillons de la famille des semiconducteurs III-V GalnAs qui diffèrent par leur composition d'alliage. Nous avons effectué ...
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Étude spectroscopique de la diode électroluminescente à triple barrière

Raymond, Sylvain (Université de Sherbrooke, 1993)
Ce travail présente une étude expérimentale des différentes propriétés de la diode électroluminescente à effet tunnel à triple barrière, une composante optoélectronique. Les quantités importantes à observer afin de ...
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Effet tunnel résonnant dans une monobarrière d'A1As sous pression hydrostatique

Carbonneau, Yves (Université de Sherbrooke, 1993)
Ce travail présente une étude des conséquences importantes du processus de transfert intervallée Γ-X des électrons sur le courant dans les hétérostructures GaAs-A1As­ GaAs. Ce processus est indirectement observable ...
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Étude magnéto-optique de GaInAs/InP dans l'infra-rouge lointain

Pelenc, Denis (Université de Sherbrooke, 1990)
Ce travail constitue une étude magnéto-optique de Ga0,47In0,53As dans l'infra-rouge lointain. Nous nous sommes attachés à décrire la bande de conduction non parabolique de ce semiconducteur, en testant plus particulièrement ...
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Étude du voltage acousto-électrique transverse

Lalancette, C. Gilles (Université de Sherbrooke, 1989)
Dans ce travail, nous présentons une analyse du voltage acousto-électrique transverse (V.A.T.) ainsi que deux applications servant à étudier différents matériaux semiconducteurs. L'analyse du voltage acousto-électrique ...
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Étude magnéto-optique interbande dans GaInAs/InP

Lasserre, Sylvie (Université de Sherbrooke, 1990)
Ce travail présente une étude optique interbande de Ga0,47In0,53As dans le proche infra-rouge sous induction magnétique (jusqu'à 16 T). Le montage expérimental a été développé pour permettre des mesures de photocourant et ...
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Effets de la radiation par des électrons sur les propriétés de transport du GaAs

Ghamlouch, Hassan (Université de Sherbrooke, 1992)
La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation inhérente d'impuretés. Toutes ces imperfections influencent la conduction électrique par les ...
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Excitation dans un système électron-phonon à deux niveaux électroniques

Fournier, Gilles (Université de Sherbrooke, 1983)
Dans ce travail nous calculons les énergies électroniques ainsi que la conductivité électrique pour un ensemble statistique de dimères libres à deux niveaux électroniques. Chaque dimère possède au total un fermion sans ...
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Préparation par décharge luminescente du silicum microcristallin dopé et étude de ses propriétés de transport électrique et structurales

Audet, Yves (Université de Sherbrooke, 1991)
Ce travail porte sur l'étude des propriétés de transport électrique du silicium microcristallin fortement dopé au bore, en fonction des principales caractéristiques structurales: concentration de dopants, taille de grains ...
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