Comme étude préliminaire au projet de fabrication de transistors MESFET avec grille Pt/a-Si:H/GaInAs, nous avons fabriqué et caractérisé la structure Pt/a-Si:H/c-Ge. Dans cette structure, le a-Si:H est inséré entre le ...

Le travail présenté ici constitue une étude magnéto-optique dans l'infra-rouge lointain de six échantillons de la famille des semiconducteurs III-V GalnAs qui diffèrent par leur composition d'alliage. Nous avons effectué ...

Ce travail présente une étude expérimentale des différentes propriétés de la diode électroluminescente à effet tunnel à triple barrière, une composante optoélectronique. Les quantités importantes à observer afin de ...

Ce travail présente une étude des conséquences importantes du processus de transfert intervallée Γ-X des électrons sur le courant dans les hétérostructures GaAs-A1As­ GaAs. Ce processus est indirectement observable ...

Ce travail constitue une étude magnéto-optique de Ga0,47In0,53As dans l'infra-rouge lointain. Nous nous sommes attachés à décrire la bande de conduction non parabolique de ce semiconducteur, en testant plus particulièrement ...

Dans ce travail, nous présentons une analyse du voltage acousto-électrique transverse (V.A.T.) ainsi que deux applications servant à étudier différents matériaux semiconducteurs. L'analyse du voltage acousto-électrique ...

Ce travail présente une étude optique interbande de Ga0,47In0,53As dans le proche infra-rouge sous induction magnétique (jusqu'à 16 T). Le montage expérimental a été développé pour permettre des mesures de photocourant et ...

La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation inhérente d'impuretés. Toutes ces imperfections influencent la conduction électrique par les ...

Dans ce travail nous calculons les énergies électroniques ainsi que la conductivité électrique pour un ensemble statistique de dimères libres à deux niveaux électroniques. Chaque dimère possède au total un fermion sans ...

Ce travail porte sur l'étude des propriétés de transport électrique du silicium microcristallin fortement dopé au bore, en fonction des principales caractéristiques structurales: concentration de dopants, taille de grains ...