La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation inhérente d'impuretés. Toutes ces imperfections influencent la conduction électrique par les ...

Ce travail présente une étude optique interbande de Ga0,47In0,53As dans le proche infra-rouge sous induction magnétique (jusqu'à 16 T). Le montage expérimental a été développé pour permettre des mesures de photocourant et ...

Dans ce travail, nous présentons une analyse du voltage acousto-électrique transverse (V.A.T.) ainsi que deux applications servant à étudier différents matériaux semiconducteurs. L'analyse du voltage acousto-électrique ...

Ce mémoire présente une étude des énergies de transitions électroniques des semiconducteurs en couches SnS et SnSe. Ces énergies ont été obtenues par des mesures de transmission et de réflectivité de lumière polarisée selon ...

Le travail présenté ici constitue une étude magnéto-optique dans l'infra-rouge lointain de six échantillons de la famille des semiconducteurs III-V GalnAs qui diffèrent par leur composition d'alliage. Nous avons effectué ...

Dans ce travail, nous présentons des mesures de propriétés de transport réalisées sur les structures comprenant deux points de contact quantique en série. Sous champ magnétique intense, le transport d'électrons dans ces ...

Ce travail présente une étude expérimentale des différentes propriétés de la diode électroluminescente à effet tunnel à triple barrière, une composante optoélectronique. Les quantités importantes à observer afin de ...

Ce travail présente une étude des conséquences importantes du processus de transfert intervallée Γ-X des électrons sur le courant dans les hétérostructures GaAs-A1As­ GaAs. Ce processus est indirectement observable ...