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Élaboration et caractérisation d'une structure GaAs par épitaxie en phase vapeur par organo-métallique à basse pression pour la fabrication d'une diode électroluminescente infrarouge
(Université de Sherbrooke, 2001)Les matériaux semiconducteurs composés tels l'arséniure de gallium GaAs permettent de fabriquer des dispositifs performants pour la microélectronique. Nous avons étudié l'élaboration d'une structure d'une diode électroluminescente ... -
Étude de la corrélation entre la fiabilité et le rendement électrique des structures métal-oxyde-semiconducteur complémentaire et leur histoire thermique
(Université de Sherbrooke, 1995)On a réalisé dans ce travail, une étude de corrélation entre la fiabilité et le rendement électrique des structures Métal-Oxyde-Semiconducteur complémentaire (CMOS) d'une part avec leur histoire thermique d'une autre part. ... -
Étude et extraction des paramètres de bruit dans un transistor Mesfet
(Université de Sherbrooke, 2001)Le présent mémoire est réalisé pour refléter, le mieux possible, tous les aspects physiques, électroniques, et technologiques d’une structure MESFET, et leurs impact sur le comportement du bruit dans ce genre de transistor. ... -
Fabrication et caractérisation électrique des dispositifs métal-isolant-semiconducteur sur GaAs obtenu en épitaxie par organo-métallique à basse pression
(Université de Sherbrooke, 1995)Nous avons étudié la possibilité d'élaboration des structures métalisolant-semiconducteur sur l'arséniure de gallium (GaAs) déposée par la technique d'organométalliques à basse pression (LP-MOCVD). Cette technique offre ... -
Stabilisation de la chaîne d'acquisition analogique du scanner LabPET[indice supérieur TM] II
(Université de Sherbrooke, 2017)Afin d'étudier le fonctionnement des organes, les chercheurs utilisent l'imagerie médicale pour faire des observations d'une façon non invasive. Parmi les techniques d'imagerie les plus utilisées, on cite la tomographie ...
