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dc.contributor.advisorJandl, Serge
dc.contributor.authorAit-Ouali, Abderrahmane
dc.date.accessioned2020-04-20T21:41:49Z
dc.date.available2020-04-20T21:41:49Z
dc.date.created1993
dc.date.issued1993
dc.identifier.isbn0315931418
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/16924
dc.description.abstractDans ce travail, nous présentons l'étude de l'effet de l'anisotropie cristalline et du désordre substitutionnel contrôlé sur les propriétés électroniques et vibrationnelles des composés semiconducteurs Zr₁₋ₓHfₓS₃. Les propriétés phononiques ont été étudiées en spectroscopie Raman. Les mesures systématiques des spectres polarisés de tous les composés nous ont permis d'identifier tous les phonons prédits par la théorie des groupes et de suivre l'évolution de leur fréquence avec la concentration de hafnium. L'analyse plus approfondie par un procédé de lissage des spectres nous a permis d'étudier l'effet du désordre contrôlé sur la largeur des modes phononiques. Les résultats de cette analyse ont été confrontés aux prédictions d'un modèle développé pour une chaîne diatomique désordonnée et amélioré suite à nos observations expérimentales. La forme en cloche prédite par ce dernier pour la variation de la largeur du mode optique de la chaîne est observée pour trois phonons de symétrie Bg. L'accord est excellent pour X > 0.5 pour deux des trois modes et ce, sans aucun paramètre ajustable. Cette étude nous a permis, d'une part, de conclure que les modes Bg se comportent comme s'ils étaient sur une chaîne isolée et que, par conséquent, les deux chaînes composant la cellule unité de nos cristaux sont très faiblement liées et, d'autre part, de confirmer la symétrie des modes telle que déduite des spectres polarisés. Les propriétés électroniques du ZrS₃ ont été étudiées par des mesures polarisées du coefficient d'absorption près de son gap indirect. L'évolution des spectres avec la température nous a permis d'identifier deux gaps parallèles différents et un gap perpendiculaire confirmant ainsi le modèle de la structure de bande basé sur les états électroniques moléculaires de l'ion (S₂)²⁻ . L'analyse détaillée des différentes structures du coefficient d'absorption indique clairement un caractère bidimensionnel du gap indirect. L'effet du désordre substitutionnel sur la structure de bande ainsi déduite pour ZrS₃ a été étudié par des mesures de photoluminescence sur tous les composés. Un modèle de l'intensité de la recombinaison radiative d'excitons localisés dans les états d'une queue de bande dans le gap des semiconducteurs décrit bien les raies observées dans les spectres des différents composés. Un procédé de lissage nous a permis, d'une part, d'identifier deux polytypes du ZrS₃ correspondant aux deux variantes A et B de la structure cristallographique des composés MX₃ et, d'autre part, de déduire la variation avec la composition de l'énergie des gaps parallèle et perpendiculaire des deux polytypes.
dc.language.isofre
dc.publisherUniversité de Sherbrooke
dc.rights© Abderrahmane Ait-Ouali
dc.subjectSemi-conducteurs
dc.titleEffets de l'anisotropie cristalline et du désordre contrôlé sur les propriétés optiques et phononiques des composés semiconducteurs Zr₁₋ₓHfₓS₃
dc.typeThèse
tme.degree.disciplinePhysique
tme.degree.grantorFaculté des sciences
tme.degree.levelDoctorat
tme.degree.namePh.D.


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