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dc.contributor.advisorCaron, Laurent-G
dc.contributor.authorLebel, Jocelyn
dc.date.accessioned2019-08-20T19:16:04Z
dc.date.available2019-08-20T19:16:04Z
dc.date.created1988
dc.date.issued1988
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/15922
dc.description.abstractNotre objectif premier était l'étude de photoinjection du silicium dans un copolymère de fluorure de linylidène et de tétrafluoroéthylène (PVDF-TFE) afin de caractériser la barrière de potentiel à l'interface. Nous avons vite réalisé qu'il fallait faire une étude plus poussée du transport électrique. Notre travail s'est donc divisé en trois volets interreliés au niveau de l'interprétation. Dans un premier temps, nous avons effectué la modélisation d'une expérience réalisée à St-Jean-sur-Richelieu par le Dr Noirhomme. Le but de cette expérience était de mesurer, en fonction du temps, le degré d'inversion qu'on peut obtenir sur un substrat de silicium avec un électret du copolymère PVDF-TFE chargé par effet couronne. Une mesure de la résistance de surface du silicium nous donne l'état d'inversion. La résistance de surface augmente graduellement en fonction du temps. Nous avons élaboré un modèle qui suppose que l'instabilité de l'électret provient du transfert d'électrons à travers l'interface copolymère-semiconducteur. La vitesse à laquelle s'effectue ce transfert est limitée par le produit ncµc où nc est la densité et µc la mobilité des électrons de conduction dans le copolymère. Le modèle permet d'obtenir un excellent lissage des données expérimentales avec comme seul paramètre le produit ncµc. L'interprétation des résultats obtenus n'est pas sans équivoque. On pourrait les expliquer par une barrière de potentiel d'environ 1 eV entre le silicium et le copolymère quoique nous privilégions une interprétation donnant une barrière d'environ 0,3 eV avec une conduction dans le film par sauts dans une bande d'états localisés. En second lieu, nous avons élaboré un modèle qui permet d'expliquer partiellement des mesures de photocourant prises à St-Jean-sur-Richelieu en 1986 sur des sandwichs aluminium-copolyrmère-silicium. Nous avons interprété le comportement du photocourant en fonction de l'énergie des photons comme étant dû à des transitions interbandes dans le silicium. Nous ne pouvons pas expliquer complètement le comportement du photocourant en fonction de la tension d'électrode. En troisième lieu, nous avons effectué des mesures de courbes C-V sur un sandwich aluminium-copolymère-silicium. Le but de cette expérience était de vérifier si on obtenait un état d'inversion dans le silicium pour ce type d'échantillon et, si oui, quelle était la tension nécessaire pour obtenir une forte inversion. Les résultats montrent que l'on a bien inversion dans le silicium mais que la tension à laquelle on atteint la forte inversion dépend de l'histoire du film de copolymère. On peut expliquer simplement ces résultats. Le film contiendrait une grande quantité d'ions. Lorsqu'on applique une tension à l'électrode d'aluminium ces ions se déplaceraient. L'état de la surface du silicium dépendrait de la tension d'électrode et de la distribution des ions dans le film, distribution qui dépend évidemment de son histoire. Le modèle élaboré pour expliquer les résultats expérimentaux fait intervenir comme paramètres la mobilité et la densité des ions présents dans le film de copolymère. Il permet d'obtenir d'assez bons lissages des données expérimentales. Un lissage typique nous donne (formules : voir document).
dc.language.isofre
dc.publisherUniversité de Sherbrooke
dc.rights© Jocelyn Lebel
dc.subjectSemi-conducteurs--Jonctions
dc.subjectPolymères--Propriétés électriques
dc.subjectMacromolécules
dc.subjectPolymères
dc.titleÉtude du transport électrique à une interface copolymère ferroélectrique-silicium
dc.typeMémoire
tme.degree.disciplinePhysique
tme.degree.grantorFaculté des sciences
tme.degree.levelMaîtrise
tme.degree.nameM. Sc.


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