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dc.contributor.advisorCheeke, David
dc.contributor.authorQuirion, Guy
dc.date.accessioned2019-04-29T19:22:24Z
dc.date.available2019-04-29T19:22:24Z
dc.date.created1986
dc.date.issued1986
dc.identifier.isbn031544049X
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/15436
dc.description.abstractL'objectif de cette recherche est de montrer que l'effet acoustoélectrique permet de préciser les mécanismes de conduction aux basses températures dans les semiconducteurs piézoélectriques. On s'intéresse particulièrement au comportement du régime de conduction par sauts en fonction du champ magnétique et de la fréquence. Pour y arriver, nous avons donc mesuré les variations de vitesse ultrasonore du mode longitudinal entre 2 K et 20 K sur des semiconducteurs InSb type p orientés selon la direction [111]. Ces mesures sont obtenues à l'aide d'un interféromètre acoustique de grande précision. Les résultats montrent clairement que la conductivité est fortement dépendante de la fréquence dans le régime de conduction par sauts. Les résultats sont analysés de façon satisfaisante à l'aide des modèles déjà existant dans la littérature.
dc.language.isofre
dc.publisherUniversité de Sherbrooke
dc.rights© Guy Quirion
dc.subjectUltrasons--Acoustique
dc.subjectSemi-conducteurs
dc.subjectPhysique de l'état solide
dc.titleMesure de la conductivité électrique du InSb type p par une technique ultrasonore
dc.typeMémoire
tme.degree.disciplinePhysique
tme.degree.grantorFaculté des sciences
tme.degree.levelMaîtrise
tme.degree.nameM. Sc.


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