Mesure de la conductivité électrique du InSb type p par une technique ultrasonore

Abstract

L'objectif de cette recherche est de montrer que l'effet acoustoélectrique permet de préciser les mécanismes de conduction aux basses températures dans les semiconducteurs piézoélectriques. On s'intéresse particulièrement au comportement du régime de conduction par sauts en fonction du champ magnétique et de la fréquence. Pour y arriver, nous avons donc mesuré les variations de vitesse ultrasonore du mode longitudinal entre 2 K et 20 K sur des semiconducteurs InSb type p orientés selon la direction [111]. Ces mesures sont obtenues à l'aide d'un interféromètre acoustique de grande précision. Les résultats montrent clairement que la conductivité est fortement dépendante de la fréquence dans le régime de conduction par sauts. Les résultats sont analysés de façon satisfaisante à l'aide des modèles déjà existant dans la littérature.