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dc.contributor.advisor[non identifié]
dc.contributor.authorBeerens, Jean
dc.date.accessioned2019-04-01T20:26:53Z
dc.date.available2019-04-01T20:26:53Z
dc.date.created1986
dc.date.issued1986
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/15259
dc.description.abstractCe travail présente une étude de transport sous champ magnétique (jusqu'à 18T) dans les hétérostructures GaAs-GaAlAs et GaSb-InAs-GaSb dont l'originalité réside dans l'utilisation de la pression hydrostatique (jusqu'à 1,5GPa) en tant que moyen pour faire varier la concentration du ou des gaz bidimensionnels d'électrons ou de trous. Dans le cas du système GaAs-GaAlAs, la variation de la concentration électronique est étroitement liée au comportement, sous l'effet de la pression, du niveau donneur silicium présent dans la couche de GaAlAs. Les données expérimentales seront utilisées pour la mise sur pied d'une modélisation de l'hétérostructure capable de décrire quantitativement le transfert de charge entre les différentes couches et la contribution de chacune de celles-ci à la conductivité totale dans la gamme de température s'étendant entre 150K et 300K. Dans le cas du puits quantique GaSb-InAs-GaSb, c'est l'action de la pression sur la structure de bande des matériaux qui sera à l'origine des variations de concentrations de porteurs. Une transition semimétal­-semiconducteur induite par la pression hydrostatique pourra être mise en évidence, et l'influence de la présence d'états donneurs d'interface sera discutée dans le cadre d'une description théorique très simple de cette structure.
dc.language.isofre
dc.publisherUniversité de Sherbrooke
dc.rights© Jean Beerens
dc.subjectÉlectronique de l'état solide
dc.subjectSemi-conducteurs--Jonctions
dc.subjectSemi-conducteurs
dc.titleMagnétotransport sous pression hydrostatique dans les hétérostructures GaAs-GaAlAs et GaSb-InAs-GaSb
dc.typeThèse
tme.degree.disciplinePhysique
tme.degree.grantorFaculté des sciences
tme.degree.levelDoctorat
tme.degree.namePh.D.


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