Magnétotransport sous pression hydrostatique dans les hétérostructures GaAs-GaAlAs et GaSb-InAs-GaSb

Abstract

Ce travail présente une étude de transport sous champ magnétique (jusqu'à 18T) dans les hétérostructures GaAs-GaAlAs et GaSb-InAs-GaSb dont l'originalité réside dans l'utilisation de la pression hydrostatique (jusqu'à 1,5GPa) en tant que moyen pour faire varier la concentration du ou des gaz bidimensionnels d'électrons ou de trous. Dans le cas du système GaAs-GaAlAs, la variation de la concentration électronique est étroitement liée au comportement, sous l'effet de la pression, du niveau donneur silicium présent dans la couche de GaAlAs. Les données expérimentales seront utilisées pour la mise sur pied d'une modélisation de l'hétérostructure capable de décrire quantitativement le transfert de charge entre les différentes couches et la contribution de chacune de celles-ci à la conductivité totale dans la gamme de température s'étendant entre 150K et 300K. Dans le cas du puits quantique GaSb-InAs-GaSb, c'est l'action de la pression sur la structure de bande des matériaux qui sera à l'origine des variations de concentrations de porteurs. Une transition semimétal­-semiconducteur induite par la pression hydrostatique pourra être mise en évidence, et l'influence de la présence d'états donneurs d'interface sera discutée dans le cadre d'une description théorique très simple de cette structure.