• Français
    • English
  • Français 
    • Français
    • English
  • Se connecter
Visualiser le document 
  •   Accueil de Savoirs UdeS
  • Sciences
  • Sciences – Mémoires
  • Visualiser le document
  •   Accueil de Savoirs UdeS
  • Sciences
  • Sciences – Mémoires
  • Visualiser le document
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Parcourir

Tout Savoirs UdeSDomaines et collectionsDates de publicationAuteursTitresSujetsDirecteursCette collectionDates de publicationAuteursTitresSujetsDirecteurs

Mon compte

Se connecter

Statistiques

Voir les statistiques d'utilisation

Propriétés magnéto-optiques du Cd3As2 en lumière polarisée : transitions interbandes

Thumbnail
Visualiser/Ouvrir
El_Alaoui_Lamrani_Hassan_MSc_1985.pdf (3.564Mb)
Date de publication
1985
Auteur(s)
El Alaoui Lamrani, Hassan
Sujet(s)
Anisotropie--Cristaux
 
Arséniure de cadmium
 
Électronique de l'état solide
 
Isotropie--Cristaux
 
Optique cristalline
 
Rotation--Cristaux
 
Réflection (Optique)--Cristaux
 
Réfraction--Cristaux
 
Semi-conducteurs
Afficher la notice détaillée
Résumé
Ce mémoire apporte une contribution nouvelle à l'étude des propriétés magnéto-optiques du Cd3As2. Pour la première fois, des mesures de magnéto-transmission en lumière infrarouge polarisée circulairement ont été faites sur ce matériau. Nos mesures impliquent des transitions entre niveaux de Landau de la bande de valence et de la bande de conduction (transitions interbandes). Ces transitions ont été effectivement observées. Les données expérimentales montrent que la bande de valence varie peu avec le vecteur d'onde K et que pour la polarisation circulaire gauche, les niveaux de la bande de conduction impliqués dans les transitions (état final) sont les n- (n: nombre quantique du niveau, - : spin-down). Pour la polarisation circulaire droite, on ne voit que deux minima qui s'associent très bien à n+ pour l'état final (+: spin-up), ce qui voudrait dire que l'effet du spin de l'électron a été mis en évidence. Au point de vue théorique, et ceci constitue aussi une partie importante de ce travail, notre étude porte sur trois points importants: le comportement des niveaux de Landau des deux bandes qui nous intéressent, le calcul des probabilités de transitions et l'effet du terme de l'électron libre sur la structure de bande et, par conséquent, la masse effective cyclotron et l'anisotropie. Nos calculs démontrent que le modèle de Bodnar, qui à date semblait bien décrire la structure de bande du Cd3As2, prédit des discontinuité dans les niveaux de Landau de la bande de valence (trous lourds), discontinuités qui ne sont pas observées expérimentalement. Les probabilités de transitions calculées dans le cadre de ce modèle ne sont pas conformes à l'expérience non plus. Finalement, l'inclusion du terme de l'électron libre, négligé par Bodnar lors de l'élaboration de son modèle, nécessitera des corrections aux valeurs des paramètres du modèle.
URI
http://hdl.handle.net/11143/15090
Collection
  • Sciences – Mémoires [1602]

Documents reliés

Afficher les documents reliés par le titre, l'auteur et les sujets.

  • Vignette

    Étude des propriétés optiques en fonction de la température et de la pression des composés mixtes Hf1-xZrxS2

    Roubi, Larbi (Université de Sherbrooke, 1987)
    Dans ce travail, nous présentons l’étude des propriétés optiques en fonction de la température et de la pression des composés mixtes Hf1-xZrxS2. A cette fin, des cristaux ont été synthétisés par la méthode de transport ...
  • Vignette

    Croissance et thermoréflectivité des cristaux de ZrS2 et de ZrSe2

    Péloquin, Guy (Université de Sherbrooke, 1985)
    Ce travail expose les résultats de l'étude des transitions optiques du ZrS2 et du ZrSe2 par la thermoréflectivité. Grâce à la technique de croissance cristalline en phase gazeuse, des échantillons de ZrS2 et de ZrSe2 ont ...
  • Vignette

    Étude des transitions électroniques optiques des composés mixtes semiconducteurs ZrS3-xSex

    Provencher, Robert (Université de Sherbrooke, 1986)
    Nous présentons ici les résultats d'une étude des composés mixtes semiconducteurs ZrS3-xSex. Ces composés forment une solution solide dont la structure cristalline est isomorphe aux trichalcogénures de la famille du ZrSe3. ...

DSpace software [version 5.4 XMLUI], copyright © 2002-2015  DuraSpace
Communiquer avec nous | Envoyer des commentaires
 

 


DSpace software [version 5.4 XMLUI], copyright © 2002-2015  DuraSpace
Communiquer avec nous | Envoyer des commentaires