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dc.contributor.advisorArès, Vincentfr
dc.contributor.advisorAimez, Vincentfr
dc.contributor.authorLeulmi, Rym Ferielfr
dc.date.accessioned2014-05-14T19:52:15Z
dc.date.available2014-05-14T19:52:15Z
dc.date.created2009fr
dc.date.issued2009fr
dc.identifier.isbn9780494534052fr
dc.identifier.urihttp://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1495
dc.description.abstractDepuis quelques années, une révolution est en cours dans l'industrie des semiconducteurs de type III-V. Les composés azotés, comme le GaN et l'AlGaN ont permis l'apparition de nouvelles sources de lumière bleue, blanche et ultra-violette. Les sources blanches, plus particulièrement, possèdent un impressionnant potentiel commercial, car elles permettront de pénétrer l'immense marché de l'éclairage domestique et industriel. On peut déjà observer leur apparition dans l'industrie de l'automobile (éclairage de tableau de bord, phares de jour), de la signalisation routière (feux de circulation), et la téléphonie cellulaire (éclairage arrière des touches et de l'écran). En effet, les diodes électroluminescentes (DELs) blanches, fabriquées à base de GaN démontrent déjà une efficacité énergétique (en lumens/Watt) qui surpasse les technologies traditionnelles comme les ampoules incandescentes et les tubes fluorescents [IEA, 2006]. Cependant, plusieurs problèmes technologiques limitent l'efficacité des DELs, notamment l'expertise dans la fabrication du GaN. Il s'agit d'une technologie ayant une faible maturité notamment en comparaison avec les autres composés III-V à base de GaAs et InP utilisés traditionnellement dans les télécommunications. De plus, l'indice de réfraction élevé du matériau empêche plus de 93% des photons générés de s'échapper du dispositif, diminuant d'autant l'efficacité. Plusieurs méthodes d'optimisation de la luminosité des DELs sont disponibles dans la littérature. Le détachement du substrat et le collage de la diode à l'envers sur un matériau conducteur est une des méthodes exploitées. Ces méthodes, souvent trop dispendieuses à cause de leur complexité, ont néanmoins démontré un grand potentiel d'amélioration de l'efficacité des dispositifs à base de GaN. L'objectif du projet consiste à développer un procédé de fabrication de DELs bleues dans le but d'augmenter considérablement (x 3) l'intensité lumineuse émise par rapport à des approches de fabrication standard et en utilisant des approches de fabrication à faible coût. Ce document présente une revue de littérature du sujet, de ses problématiques, des objectifs de projet en cours et des méthodes à mettre en oeuvre pour les réaliser dans un délai prescrit.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Rym Feriel Leulmifr
dc.subjectStructure de contacts électriquesfr
dc.subjectGravure sèchefr
dc.subjectMicrofabricationfr
dc.subjectEfficacité énergétiquefr
dc.subjectNitrure de galliumfr
dc.subjectDiodes électroluminescentes, semiconducteurs III-Vfr
dc.titleRéalisation de sources lumineuses à haut rendement lumen /$ à base d'hétérostructures GaN/AlGaNfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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