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dc.contributor.advisorAimez, Vincent
dc.contributor.advisorGendry, Michel
dc.contributor.advisorFafard, Simon
dc.contributor.authorChancerel, Françoisfr
dc.date.accessioned2019-01-22T17:48:20Z
dc.date.available2019-01-22T17:48:20Z
dc.date.created2019fr
dc.date.issued2019-01-22
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/14655
dc.description.abstractCette thèse de doctorat traite de la mise en oeuvre du procédé de soulèvement épitaxial (ou ELO pour epitaxial lift-off) à partir d'un substrat d'InP permettant le détachement des couches actives et le recyclage du substrat afin de rendre économiquement compétitive la fabrication de cellules solaires multi-jonctions pour le photovoltaïque concentré. Ce procédé, qui consiste à sous-graver sélectivement une couche sacrificielle comprise entre le substrat et les couches actives, est bien connu et maitrisé sur un substrat de GaAs avec l'utilisation d'une couche sacrificielle d'AlAs d'épaisseur voisine de 5 nm, ce qui n'est pas possible sur un substrat d'InP en raison du fort désaccord de maille cristalline existant entre l'AlAs et l'InP. Pour l'adapter à un substrat d'InP, le développement d'une couche sacrificielle spécifique basée sur un super-réseau AlAs/InAlAs a été réalisé, ce qui permet de contourner les problématiques liées au désaccord de maille et à la croissance de matériaux contraints. Après optimisation des conditions de croissance de ce super-réseau, les épaisseurs atteintes et donc les vitesses de sous-gravure obtenues en utilisant ce type de couche sacrificielle ont satisfait aux exigences du procédé ELO. Ensuite, le report et le soulèvement de structures actives de cellules solaires InGaAs en couches minces cristallines ont été développés. Les cellules solaires ainsi fabriquées ont montré des performances semblables à celles réalisées par épitaxie standard sur un substrat d'InP, voire meilleures sous concentration en raison d'effets de confinement optique. Finalement, le recyclage du substrat d'InP réalisé avec un procédé utilisant seulement deux étapes de nettoyage par voies chimiques humides, a permis de produire des surfaces d'InP de qualité suffisante pour réaliser une reprise d'épitaxie satisfaisante.fr
dc.description.abstractAbstract: This PhD thesis deals with the implementation of the epitaxial lift-off (ELO) process froman InP substrate allowing the detachment of active layers and the substrate recycling. The finaltarget is to realize multi-junction solar cells in an economically competitive way for concentrated photovoltaic. The ELO process consists in the under-etching of a sacrificial layer insertedbetween the substrate and the active layers. It is well known and mastered on a GaAs substratewith the use of a sacrificial layer of AlAs with a thickness of about 5 nm. Such a layer is notusable on an InP substrate due to the high lattice mismatch between AlAs and InP. In orderto adapt the ELO process to an InP substrate, this work aimed to develop a specific sacrificiallayer based on an AlAs/InAlAs superlattice. Thus, it is possible to circumvent problems relatedto the lattice mismatch and to the strained layer growth. After optimization of growth conditions of this superlattice, using this type of sacrificial layer, we achieve a sufficient thicknessand therefore a sufficient under-etching rate in order to meet the requirements of the ELOprocess. Then, the transfer and lift-off of thin crystalline film based InGaAs solar cells havebeen developed. This kind of solar cells showed performances similar to those obtained witha standard epitaxial growth on an InP substrate, or even better under concentration due tooptical confinement effects. Finally, the recycling of the InP substrate carried out by a processusing only two wet chemical cleaning steps made it possible to produce InP surfaces of sufficientquality to achieve a promising second epitaxial growth.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© François Chancerelfr
dc.rightsAttribution - Pas d’Utilisation Commerciale - Partage dans les Mêmes Conditions 2.5 Canada*
dc.rightsAttribution - Pas d’Utilisation Commerciale - Partage dans les Mêmes Conditions 2.5 Canada*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ca/*
dc.subjectCellule solairefr
dc.subjectSemiconducteurs III-Vfr
dc.subjectInPfr
dc.subjectEpitaxial lift-offfr
dc.subjectSuper-réseau contraintfr
dc.subjectSous-gravurefr
dc.subjectCouche mince cristallinefr
dc.subjectÉpitaxiefr
dc.subjectSolar cellfr
dc.subjectIII-V semiconductorsfr
dc.subjectStrained superlatticefr
dc.subjectUnder-etchingfr
dc.subjectThin crystalline filmfr
dc.subjectEpitaxyfr
dc.titleCroissance, report, soulèvement (epitaxial lift-off) et fabrication de cellules solaires InGaAs permettant le recyclage du substrat d'InP pour le photovoltaïque concentré (CPV)fr
dc.typeThèsefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.grantotherUniversité de Lyon, opérée au sein de l'École Centrale de Lyonfr
tme.degree.levelDoctoratfr
tme.degree.namePh.D.fr


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