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dc.contributor.advisorMaher, Hassan
dc.contributor.advisorDe Jaeger, Jean-Claude
dc.contributor.advisorLesecq, Marie
dc.contributor.authorCozette, Flavienfr
dc.date.accessioned2018-12-19T20:24:08Z
dc.date.available2018-12-19T20:24:08Z
dc.date.created2018fr
dc.date.issued2018-12-19
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/14480
dc.description.abstractLe développement de composants de puissance pour les applications hyperfréquence représente un formidable défi qui doit conduire à l’amélioration des systèmes radars, spatiales ou de télécommunications existants. Les transistors de type HEMT AlGaN/GaN ont démontré leurs potentialités pour répondre à cet enjeu. Cependant, l’augmentation des performances des systèmes s’accompagne d’une miniaturisation de plus en plus poussée des transistors entrainant une augmentation de leur température de fonctionnement. Dans ce contexte, la gestion thermique des composants est très importante. Une température de fonctionnement élevée a en effet pour conséquence de dégrader les performances et la fiabilité des composants. Plusieurs voies, comme la fabrication de composants sur substrat diamant ou encore l’intégration de micro-canaux au plus près des transistors, sont en développement pour améliorer la dissipation thermique des transistors de la filière GaN. Ainsi, il a été mis en évidence que la gestion thermique des transistors est un enjeu majeur pour obtenir des systèmes performants et fiable. Afin d’optimiser la gestion thermique des composants, il est important de déterminer avec précision la température de fonctionnement des composants en temps réel. Ce travail de thèse a pour objectif le développement d’une méthode permettant de mesurer en temps réel la température de fonctionnement de transistors de type AlGaN/GaN en régime hyperfréquence. Cette mesure permettrait d’étudier la fiabilité des composants, de contrôler leur température en fonctionnement et d’assurer une maintenance préventive et non curative de systèmes. Plusieurs méthodes de la littérature permettent d’extraire la température de fonctionnement de composants. Cependant, ces méthodes ne sont pas adaptées pour mesurer la température en temps réel de composants packagés. La solution proposée ici consiste à intégrer un capteur de température résistif directement au niveau de la zone active des transistors. Un design permettant l’intégration des capteurs dans des composants compatibles pour des applications de puissance hyperfréquence au-delàs de 10 GHZ a été développé. Une partie conséquente du travail de thèse a consisté à fabriquer les dispositifs (transistors et capteurs intégrés) en central technologique. Des caractérisations thermiques des transistors fabriqués ont ensuite été menées en régime statique et hyperfréquence.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Flavien Cozettefr
dc.subjectGaNfr
dc.subjectHEMTfr
dc.subjectTempératurefr
dc.subjectCapteurfr
dc.subjectHyperfréquencefr
dc.titleMesure de la température de transistors de type HEMT AlGaN/GaN en régime de fonctionnement hyperfréquencefr
dc.typeThèsefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.grantotherUniversité de Lillefr
tme.degree.levelDoctoratfr
tme.degree.namePh.D.fr


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