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dc.contributor.advisorMaher, Hassan
dc.contributor.advisorSoltani, Ali
dc.contributor.authorMaher, Soundossfr
dc.date.accessioned2018-11-23T14:22:11Z
dc.date.available2018-11-23T14:22:11Z
dc.date.created2018fr
dc.date.issued2018-11-23
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11143/14320
dc.description.abstractLe nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite utilisé en optoélectronique et dans les dispositifs de puissance et/ou haute fréquence. Les matériauxbinaires III-N à large bande interdite sont les plus prometteurs pour fabriquer des dispositifs à haute puissance et/ou à haute fréquence pouvant fonctionner à haute température. Les procédés basés sur les plasmas chlorés sont particulièrement adaptés à la gravure de ces matériaux. Ces derniers présentent une parfaitereproductibilité et permettent une gravure « fine » ou plus ou moins rapide en fonction des exigences sur la qualité de surface recherchée. Plusieurs exigences doivent être satisfaites pour réaliser la gravure sèche de GaN pour les structures HEMTs communes à base de GaN/AlGaN dans le cadre d’un procédé de fabrication existant : après gravure, i) La rugosité de surface sur la couche barrière AlGaN doit être la plus petite possible ; ii) cette même surface doit présenter un faible endommagement et une faible contamination en impuretés. L’objectif de ce projet est de trouver un procédé qui respecte les exigences imposées après gravure et qui permet de donner une sélectivité optimale entre le p-GaN par rapport à AlGaN.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Soundoss Maherfr
dc.subjectGaNfr
dc.subjectAlGaNfr
dc.subjectSélectivitéfr
dc.subjectPlasmafr
dc.subjectGravure humide et sèchefr
dc.subjectRIE-ICPfr
dc.titleGravure de semiconducteurs à large bande interdite III-N pour les transistors Normally-OFF à base de GaN/Alganfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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