Atténuation ultrasonore dans le p-InSb à basse température

Abstract

Nous présentons une étude expérimentale de l 'atténuation ultra­ sonore d'une onde longitudinale dans le semiconducteur p-InSb en fonction de la température du champ magnétique et de la puissance utilisée pour des fréquences de l'onde comprise entre 30 et 700 MHz. Cette étude est faite pour trois échantillons dopés au germanium ayant des concentrations en impuretés NA - ND de ~ 10 14, 2.2 x 10 15 et 8.5 x 10 16 cm-3. Des mesures de la résistivité électrique des échantillons en fonction de la température et du champ magnétique complètent le travail expérimental livré ici. Toutes les mesures prises jusqu'à maintenant confirment l'idée qu'à très basse température, l'atténuation ultrasonore et la conductivité électrique sont dues à un seul mécanisme que nous associons à la conduction par sauts des trous entre les impuretés du cristal.