Mesures de courants de faisceaux avec un dispositif Schottky en microscopie électronique à balayage à pression variable (VP-SEM)

Abstract

1.0. Les principaux objectifs du projet. Le projet présente la théorie et les étapes de fabrication d'un détecteur de courant de faisceau utilisé en microscopie électronique à pression variable. L'utilisation de la microscopie électronique à balayage à pression variable étant utilisée dans un nombre grandissant de champs des sciences de la vie et des sciences de la matière demande le développement de nouveaux outils et instruments facilitant le travail des utilisateurs. Ce dispositif se base sur une jonction Schottky amplifiant le courant de faisceau et permettant de minimiser les impacts indésirables liés à la présence de molécules dans la chambre d'observation en microscopie électronique à balayage à pression variable. Les chapitres 1 et 2 présentent le travail théorique sous-tendant la réalisation du dispositif. 1.1. La fabrication du dispositif. Différents dispositifs ont été réalisés dans le cadre de ce projet et les principales étapes de fabrication sont présentées dans le présent texte. Le chapitre 3 revient sur les considérations théoriques et la littérature discutant des aspects théoriques de la fabrication et du choix des matériaux. Le chapitre 4 discute des différentes étapes de fabrication et des différents dispositifs. Les résultats présentés peuvent être utilisés dans la réalisation d'une jonction Schottky planaire sur substrat de silicium. Le présent mémoire présente aussi les critères de sélection des différentes couches qui pourraient être utilisés dans la fabrication d'une telle jonction sur un autre semiconducteur. 1.2. Résultats. Le chapitre 5 présente les modalités de mesures et les résultats obtenus avec les différents dispositifs, d'abord les tests électriques et ensuite les tests réalisés in situ, dans le microscope électronique à balayage. 1.3. Travaux à venir. Le dispositif obtenu pourra être utilisé dans une caractérisation plus poussée du faisceau d'électrons en mode pression variable. Une analyse géométrique du faisceau et une analyse de l'effet de jupe pourront donc être réalisées.