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dc.contributor.advisorBeauvais, Jacquesfr
dc.contributor.advisorAimez, Vincentfr
dc.contributor.authorBélanger, Elianefr
dc.date.accessioned2014-05-14T19:51:21Z
dc.date.available2014-05-14T19:51:21Z
dc.date.created2006fr
dc.date.issued2006fr
dc.identifier.urihttp://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1327
dc.description.abstractCe document présente un procédé de fabrication pour la stabilisation d'une diode laser en fréquence. La stabilisation est accomplie en incorporant un réseau de Bragg sur les parois latérales du guide ruban connecté à une diode laser et ce, sans reprise d'épitaxie. L'hétérostructure utilisée est du InGaAs/InGaAsP/InP. Le procédé de fabrication consiste en premier lieu de lithographie par faisceau d'électrons, de photolithographie et finalement de gravure plasma. Le masque de gravure est fait d'un agencement d'oxyde de silicium et de chrome, soient des matériaux volatils au chlore gazeux lors de la gravure sèche à haute température. Le tout est gravé 1,5 [micro]m de profondeur, jusqu'à la barrière de gravure, de manière extrêmement verticale dans la couche de confinement et perpendiculaire à la surface. Les résultats des mesures prises de ces réseaux de Bragg sur les parois latérales du guide ruban démontrent une bonne efficacité au niveau de la sélectivité de fréquence. Ceci est dû au bon couplage des variations des indices de réfraction permettant une bonne réflexion dans la cavité du réseau de Bragg. Ces mesures sont aussi comparées avec les résultats de simulations et de calculs théoriques et concordent avec ces derniers malgré quelques légères différences.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Eliane Bélangerfr
dc.titleDéveloppement d'un procédé pour la réalisation de diodes laser stabilisées en fréquence sans reprise d'épitaxiefr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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