Fabrication et caractérisation de circuits intégrés micro-ondes passifs sur arséniure de gallium pour les télécommunications

Abstract

La demande dans le domaine des télécommunications repousse sans cesse les limites de la microélectronique. Les structures actives les plus complexes sur silicium ne pourront plus rivaliser avec leurs équivalents sur matériau III-V et autres hétérostructures semi-conductrices au niveau des performances recherchées et du coût de fabrication. Pour réaliser des opérations dans les dizaines de gigahertz, la migration des procédés s'impose. Le projet consiste à réaliser des structures passives (lignes de transmissions de différentes géométries, condensateurs et inductances) sur GaAs à l'aide de procédés compatibles avec d'autres substrats utilisés en hautes fréquences et de façon concomitante avec la fabrication de structures actives (diodes, mesfet, p-hemt). De plus, plusieurs phénomènes de transmission micro-onde doivent être pris en compte tel que les pertes dues au substrat, les discontinuités coplanaires, l'inductance entre les lignes et les capacités parasites. L'utilisation de modèles RF valides jusqu'à 40 GHz est requise pour des simulations précises dans des logiciels tels que ADS au niveau de la conception. Des filtres passe-bande ont été conçus et fabriqués pour valider le fonctionnement des structures modélisées avec les paramètres de modélisation extraits de structures de test.