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AuthorBeerens, Jean (2)El Alaoui Lamrani, Hassan (2)Madore, Guy (2)Provencher, Robert (2)Ait-Ouali, Abderrahmane (1)... View MoreSubject
Semi-conducteurs (41)
Électronique de l'état solide (13)Arséniure de gallium (7)Physique de l'état solide (6)Anisotropie--Cristaux (5)... View MorePublication date1990 - 1996 (14)1980 - 1989 (27)Types of documentMémoire (30)Thèse (11)

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Ultrasonic attenuation in INSB at very low temperatures

Fernandez, Braulio J. (Université de Sherbrooke, 1987)
Ultrasonic attenuation (x) as a function of bath temperature (0,1-100 K) and magnetic field (0-80 kG) has been measured in six n-type and four p-type InSb samples oriented along either the (111] or the [110] direction, and ...
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Préparation par décharge luminescente du silicum microcristallin dopé et étude de ses propriétés de transport électrique et structurales

Audet, Yves (Université de Sherbrooke, 1991)
Ce travail porte sur l'étude des propriétés de transport électrique du silicium microcristallin fortement dopé au bore, en fonction des principales caractéristiques structurales: concentration de dopants, taille de grains ...
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Croissance et thermoréflectivité des cristaux de ZrS2 et de ZrSe2

Péloquin, Guy (Université de Sherbrooke, 1985)
Ce travail expose les résultats de l'étude des transitions optiques du ZrS2 et du ZrSe2 par la thermoréflectivité. Grâce à la technique de croissance cristalline en phase gazeuse, des échantillons de ZrS2 et de ZrSe2 ont ...
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Étude des transitions électroniques optiques des composés mixtes semiconducteurs ZrS3-xSex

Provencher, Robert (Université de Sherbrooke, 1986)
Nous présentons ici les résultats d'une étude des composés mixtes semiconducteurs ZrS3-xSex. Ces composés forment une solution solide dont la structure cristalline est isomorphe aux trichalcogénures de la famille du ZrSe3. ...
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Magnétotransport sous pression hydrostatique dans les hétérostructures GaAs-GaAlAs et GaSb-InAs-GaSb

Beerens, Jean (Université de Sherbrooke, 1986)
Ce travail présente une étude de transport sous champ magnétique (jusqu'à 18T) dans les hétérostructures GaAs-GaAlAs et GaSb-InAs-GaSb dont l'originalité réside dans l'utilisation de la pression hydrostatique (jusqu'à ...
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Mesure de la conductivité électrique du InSb type p par une technique ultrasonore

Quirion, Guy (Université de Sherbrooke, 1986)
L'objectif de cette recherche est de montrer que l'effet acoustoélectrique permet de préciser les mécanismes de conduction aux basses températures dans les semiconducteurs piézoélectriques. On s'intéresse particulièrement ...
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Propriétés magnéto-optiques du Cd3As2 en lumière polarisée : transitions interbandes

El Alaoui Lamrani, Hassan (Université de Sherbrooke, 1985)
Ce mémoire apporte une contribution nouvelle à l'étude des propriétés magnéto-optiques du Cd3As2. Pour la première fois, des mesures de magnéto-transmission en lumière infrarouge polarisée circulairement ont été faites sur ...
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Propriétés électriques et acoustiques des composés mixtes ZrS3-xSex

Séguin, Paul-Émile (Université de Sherbrooke, 1985)
Nous présentons dans ce travail les résultats de l'investigation des propriétés élastiques et électriques effectuée sur les composés mixtes ZrS3-xSex pour toute la gamme de composition entre 250 et 500K. La technique de ...
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Étude des propriétés optiques et vibrationnelles des semiconducteurs lamellaires Hf[x]Zr[1-x]Se[3]

El Alaoui Lamrani, Hassan (Université de Sherbrooke, 1990)
Dans ce travail, nous présentons l'étude des propriétés optiques et vibrationnelles des semiconducteurs lamellaires ZrSe3, HfSe3 et des ternaires HfxZr1-xSe3. A cette fin, des cristaux ont été synthétisés par la méthode ...
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Étude magnéto-optique interbande dans GaInAs/InP

Lasserre, Sylvie (Université de Sherbrooke, 1990)
Ce travail présente une étude optique interbande de Ga0,47In0,53As dans le proche infra-rouge sous induction magnétique (jusqu'à 16 T). Le montage expérimental a été développé pour permettre des mesures de photocourant et ...
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