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AuthorBeerens, Jean (2)El Alaoui Lamrani, Hassan (2)Madore, Guy (2)Provencher, Robert (2)Aboujja, Sidi (1)... View MoreSubject
Semi-conducteurs (43)
Électronique de l'état solide (13)Arséniure de gallium (7)Physique de l'état solide (6)Anisotropie--Cristaux (5)... View MorePublication date2000 - 2005 (2)1990 - 1999 (14)1980 - 1989 (27)Types of documentMémoire (31)Thèse (12)

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Étude magnéto-optique de GaInAs/InP dans l'infra-rouge lointain

Pelenc, Denis (Université de Sherbrooke, 1990)
Ce travail constitue une étude magnéto-optique de Ga0,47In0,53As dans l'infra-rouge lointain. Nous nous sommes attachés à décrire la bande de conduction non parabolique de ce semiconducteur, en testant plus particulièrement ...
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Étude de l'effet de la pression sur les propriétés structurales et optiques de la solution solide Zn[x]Cd[1-x]S

Béliveau, Alain (Université de Sherbrooke, 1989)
Ce travail présente une étude du comportement des propriétés optiques et structurales du composé mixte ZnxCd1-xS sous l'effet de la pression. Pour toutes les concentrations x de ces composés obtenus à partir d'une croissance ...
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Effets de l'anisotropie cristalline et du désordre contrôlé sur les propriétés optiques et phononiques des composés semiconducteurs Zr₁₋ₓHfₓS₃

Ait-Ouali, Abderrahmane (Université de Sherbrooke, 1993)
Dans ce travail, nous présentons l'étude de l'effet de l'anisotropie cristalline et du désordre substitutionnel contrôlé sur les propriétés électroniques et vibrationnelles des composés semiconducteurs Zr₁₋ₓHfₓS₃. Les ...
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Étude des propriétés optiques et vibrationnelles des semiconducteurs lamellaires Hf[x]Zr[1-x]Se[3]

El Alaoui Lamrani, Hassan (Université de Sherbrooke, 1990)
Dans ce travail, nous présentons l'étude des propriétés optiques et vibrationnelles des semiconducteurs lamellaires ZrSe3, HfSe3 et des ternaires HfxZr1-xSe3. A cette fin, des cristaux ont été synthétisés par la méthode ...
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Étude du voltage acousto-électrique transverse

Lalancette, C. Gilles (Université de Sherbrooke, 1989)
Dans ce travail, nous présentons une analyse du voltage acousto-électrique transverse (V.A.T.) ainsi que deux applications servant à étudier différents matériaux semiconducteurs. L'analyse du voltage acousto-électrique ...
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Transitions électroniques dans les composés SnS et SnSe

Parenteau, Martin (Université de Sherbrooke, 1989)
Ce mémoire présente une étude des énergies de transitions électroniques des semiconducteurs en couches SnS et SnSe. Ces énergies ont été obtenues par des mesures de transmission et de réflectivité de lumière polarisée selon ...
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Fabrication et caractérisation de la diode Schottky Pt/a-Si:H/c-Ge

Jean, Claude (Université de Sherbrooke, 1991)
Comme étude préliminaire au projet de fabrication de transistors MESFET avec grille Pt/a-Si:H/GaInAs, nous avons fabriqué et caractérisé la structure Pt/a-Si:H/c-Ge. Dans cette structure, le a-Si:H est inséré entre le ...
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Étude du composé GaInAs/GaAs par des méthodes magnéto-optiques dans l'infra-rouge lointain

Helal, Philippe (Université de Sherbrooke, 1991)
Le travail présenté ici constitue une étude magnéto-optique dans l'infra-rouge lointain de six échantillons de la famille des semiconducteurs III-V GalnAs qui diffèrent par leur composition d'alliage. Nous avons effectué ...
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Étude des propriétés électriques de nanostructures à base de semi-conducteurs III-V

Fortin, Sébastien (Université de Sherbrooke, 1993)
Dans ce travail, nous présentons des mesures de propriétés de transport réalisées sur les structures comprenant deux points de contact quantique en série. Sous champ magnétique intense, le transport d'électrons dans ces ...
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Étude spectroscopique de la diode électroluminescente à triple barrière

Raymond, Sylvain (Université de Sherbrooke, 1993)
Ce travail présente une étude expérimentale des différentes propriétés de la diode électroluminescente à effet tunnel à triple barrière, une composante optoélectronique. Les quantités importantes à observer afin de ...
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