L'arséniure de cadmium suscite depuis longtemps un grand intérêt en raison de ses propriétés particulières du point de vue de la conduction électrique (haute densité d'électrons libres, faible masse effective, très haute ...

Nous présentons une étude expérimentale de l 'atténuation ultra­ sonore d'une onde longitudinale dans le semiconducteur p-InSb en fonction de la température du champ magnétique et de la puissance ...

En faisant des balayages en champ magnétique (B), pour une énergie de photon donnée, nous avons observé sur des monocristaux de cd3As2 des oscillations dans la transmission à basses températures. Les mesures ont été ...

Nous avons étudié l'influence du champ magnétique sur la transition de spin-Peierls dans les chaines quasi-unidimensionnelles de spins. Nous avons évalué l'effet du champ sur diverses grandeurs physiques en considérant les ...

Nous présentons ici les résultats d'une étude des modes de vibration du réseau du SnSe2. La technique de croissance cristalline dite de Bridgman a été utilisée pour obtenir un monocristal d'environ 2 cm3. Ce cristal a ...

Dans ce travail nous calculons les énergies électroniques ainsi que la conductivité électrique pour un ensemble statistique de dimères libres à deux niveaux électroniques. Chaque dimère possède au total un fermion sans ...

Nous présentons ici les résultats d'une étude des composés mixtes semiconducteurs ZrS3-xSex. Ces composés forment une solution solide dont la structure cristalline est isomorphe aux trichalcogénures de la famille du ZrSe3. ...

Au début, l'objectif de cette recherche était de mesurer le coefficient de Seebeck pour diverses compositions de la solution solide SnSxSe2-x obtenues par la méthode de croissance de Bridgman. Ces cristaux présentent une ...

Cet ouvrage traite d'une étude menée sur les solutions solides ZrS3-xSex. Grâce à la technique de croissance cristalline en phase gazeuse, une importante gamme de compositions allant de x = 0 à x = 3 a pu être obtenue avec ...

Ce travail présente une étude de transport sous champ magnétique (jusqu'à 18T) dans les hétérostructures GaAs-GaAlAs et GaSb-InAs-GaSb dont l'originalité réside dans l'utilisation de la pression hydrostatique (jusqu'à ...