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AuthorAudet, Yves (1)Jean, Claude (1)Subject
Semi-conducteurs (2)
Silicium (2)
Diodes de Schottky (1)Physique de l'état solide (1)Semi-conducteurs amorphes (1)... View MorePublication date1991 (2)Types of document
Mémoire (2)

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Préparation par décharge luminescente du silicum microcristallin dopé et étude de ses propriétés de transport électrique et structurales

Audet, Yves (Université de Sherbrooke, 1991)
Ce travail porte sur l'étude des propriétés de transport électrique du silicium microcristallin fortement dopé au bore, en fonction des principales caractéristiques structurales: concentration de dopants, taille de grains ...
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Fabrication et caractérisation de la diode Schottky Pt/a-Si:H/c-Ge

Jean, Claude (Université de Sherbrooke, 1991)
Comme étude préliminaire au projet de fabrication de transistors MESFET avec grille Pt/a-Si:H/GaInAs, nous avons fabriqué et caractérisé la structure Pt/a-Si:H/c-Ge. Dans cette structure, le a-Si:H est inséré entre le ...

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