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    • Fabrication et caractérisation de la diode Schottky Pt/a-Si:H/c-Ge

      Jean, Claude (Université de Sherbrooke, 1991)
      Comme étude préliminaire au projet de fabrication de transistors MESFET avec grille Pt/a-Si:H/GaInAs, nous avons fabriqué et caractérisé la structure Pt/a-Si:H/c-Ge. Dans cette structure, le a-Si:H est inséré entre le ...