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Contribution à la caractérisation des effets d'une irradiation aux électrons sur les propriétés optiques et de transport électrique du GaAs
(Université de Sherbrooke, 1993)Nous avons expose des échantillons d'arseniure de gallium à des irradiations aux électrons (7 MeV). Les doses utilisées variaient de 10[indice supérieur 10] jusqu' à 6[indice supérieur 15] e/cm[indice supérieur 2]. Nos ... -
Effet de l'irradiation par des particules alpha sur l'arséniure de gallium
(Université de Sherbrooke, 1999)Dans ce travail, on présentera l'étude de l'effet de l'irradiation par les particules alpha énergétiques sur l'arséniure de gallium (GaAs). Dans ce but, on a exposé des échantillons dopés 'n' au silicium avec des densités ... -
Effets de l'irradiation sur l'arséniure de gallium dopé au silicium de type n : observation optique de la lacune de gallium
(Université de Sherbrooke, 2014)Dans ce travail, nous présentons l'étude de l'effet de l'irradiation sur l'arséniure de gallium (GaAs) en fonction de la nature et de l'énergie de la particule irradiante. A cette fin, nous avons irradié des échantillons ... -
Électroluminescence en avalanche des jonctions p-n à base de silicium et d'arséniure de gallium, et effet d'irradiation
(Université de Sherbrooke, 2000)Dans ce travail de thèse nous étudions l'électroluminescence (EL) des jonctions à base de silicium (Si) et d'arséniures de gallium (GaAs), polarisées en avalanche. Dans le cas des jonctions p-n à base de Si (semi-conducteur ... -
Étude de l'effet de la pression sur les propriétés structurales et optiques de la solution solide Zn[x]Cd[1-x]S
(Université de Sherbrooke, 1989)Ce travail présente une étude du comportement des propriétés optiques et structurales du composé mixte ZnxCd1-xS sous l'effet de la pression. Pour toutes les concentrations x de ces composés obtenus à partir d'une croissance ... -
Étude des propriétés optiques en fonction de la température et de la pression des composés mixtes Hf1-xZrxS2
(Université de Sherbrooke, 1987)Dans ce travail, nous présentons l’étude des propriétés optiques en fonction de la température et de la pression des composés mixtes Hf1-xZrxS2. A cette fin, des cristaux ont été synthétisés par la méthode de transport ... -
L'effet de la température et de la pression sur le spectre optique du TCNQ
(Université de Sherbrooke, 1984)Une étude expérimentale des spectres d'absorption et de réflexion du cristal de Tétracyanoquinodiméthane (TCNQ) en fonction de la température ainsi que des spectres d'absorption en fonction de la pression est présentée. À ... -
Mesures d'absorption optique en fonction de la température de complexes de TCNQ
(Université de Sherbrooke, 1978)Une étude expérimentale des sels à transfert de charge K(TCNQ), Ba(TCNQ)2, Ca(TCNQ)2, Pe(TCNQ) et Pe3(TCNQ) est présentée. À cette fin, est décrit un montage permettant de mesurer la densité optique en fonction de la ... -
Mesures de la température dans un plasma en courant continu
(Université de Sherbrooke, 1984)Ce travail s'inscrit dans le cadre d'une recherche appliquée sur les possibilités d'utilisation des plasmas. L'objet des recherches effectuées est la détermination rapide et précise des profils de température du plasma. ... -
Profils de raies spectrales provenant d'états prédissociés de la bande (0,9) de la transition B [sigma]@ [approaches] A[sigma]@ de l'hydroxyle deutere d'oxygène (OD)
(Université de Sherbrooke, 1980)Ce travail présente une étude expérimentale de l'effet de la prédissociation sur le profil des raies spectrales. Plus particulièrement, notre analyse s'est penchée sur les niveaux rotationnels ... -
Spectroscopie Raman de cristaux tungstates de structure Scheelite selon la température et la pression
(Université de Sherbrooke, 1984)Nous présentons pour la première fois la variation des énergies des phonons optiques actifs en Raman selon la température (20K à 300K) pour des cristaux de structure scheelite (tétragonale, du groupe spatial c64h ) soit ... -
Spectroscopie Raman en fonction de la température et de la pression du Cs2SeO4
(Université de Sherbrooke, 1987)Nous présentons la dépendance en température (de 20 K à 650 K) et en pression (de 0 kbar à 23 kbar) des phonons optiques du Cs2SeO4 de structure orthorombique (groupe spatial D2h16). Aucune phase incommensurable à basse ... -
Transitions électroniques dans les composés SnS et SnSe
(Université de Sherbrooke, 1989)Ce mémoire présente une étude des énergies de transitions électroniques des semiconducteurs en couches SnS et SnSe. Ces énergies ont été obtenues par des mesures de transmission et de réflectivité de lumière polarisée selon ...
