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dc.contributor.advisorBeauvais, Jacquesfr
dc.contributor.authorFaure, Brucefr
dc.date.accessioned2014-05-14T16:34:26Z
dc.date.available2014-05-14T16:34:26Z
dc.date.created2001fr
dc.date.issued2001fr
dc.identifier.isbn0612743756fr
dc.identifier.urihttp://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1155
dc.description.abstractAu coeur des technologies de communication de demain, les circuits micro-ondes (de 2,8 GHz à 30 GHz) et millimétriques (au-delà de 30 GHz) pour les télécommunications sans fil sont un sujet de recherche très actif en ce début de millénaire. Le fleuron de la technologie, actuellement disponible, est les circuits MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit). Grâce à une intégration poussée de composants fonctionnant à très haute fréquence, ces circuits atteignent des performances inégalées en matière de fréquence de fonctionnement. Comme tout domaine de l'électronique, la réalisation de ces circuits ainsi que des composants discrets constituant ces derniers, représente un des principaux défis à relever pour soutenir le développement de cette technologie. Le projet suivant s'inscrit dans le cadre de cet axe de recherche. L'objectif principal est le développement des méthodes de microfabrication d'un transistor pseudomorphique à électrons de mobilité élevée (P-HEMT) ainsi que de composants passifs utiles pour la réalisation de circuits à partir de ce transistor, à partir d'un substrat de GaAs avec un gaz d'électrons bidimensionnel épitaxié."--Résumé abrégé par UMI.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Bruce Faurefr
dc.subjectTransistors bipolairesfr
dc.subjectArséniure de galliumfr
dc.titleDéveloppement des méthodes de microfabrication d'un transistor à effet de champ avec modulation de dopagefr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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