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dc.contributor.advisorAktik, Cetinfr
dc.contributor.authorEddini, Abdel-ilahfr
dc.date.accessioned2014-05-14T16:34:03Z
dc.date.available2014-05-14T16:34:03Z
dc.date.created2001fr
dc.date.issued2001fr
dc.identifier.isbn0612672638fr
dc.identifier.urihttp://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1084
dc.description.abstractLe présent mémoire est réalisé pour refléter, le mieux possible, tous les aspects physiques, électroniques, et technologiques d’une structure MESFET, et leurs impact sur le comportement du bruit dans ce genre de transistor. Le chapitre 1 dresse un rappel sur la définition d’un transistor MESFET, les caractéristiques et les propriétés de telles structures et des matériaux utilisés, et enfin, les procédés technologiques de fabrication. Le chapitre 2 est consacré entièrement au phénomène de bruit dans les circuits MESFET; il comprend en particulier la partie d’analyse théorique qui sera utilisée dans le chapitre 4 pour l’extraction des paramètres de bruit. Un rappel des modèles physiques et numériques de circuits MESFET les plus utilisés par les programmes CAO est présenté à travers le chapitre 3. Toute la partie réalisation des travaux sujets de ce mémoire est résumée dans le chapitre 4 qui présente en particulier la méthode utilisée pour l’extraction des paramètres de bruit, et l’utilisation de cette dernière pour une étude paramétrique afin de bien comprendre leur influence sur le comportement du bruit.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Abdel-ilah Eddinifr
dc.titleÉtude et extraction des paramètres de bruit dans un transistor Mesfetfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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