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dc.contributor.advisorBeauvais, Jacquesfr
dc.contributor.authorMichel, Sébastienfr
dc.date.accessioned2014-05-14T16:33:56Z
dc.date.available2014-05-14T16:33:56Z
dc.date.created1999fr
dc.date.issued1999fr
dc.identifier.isbn0612569438fr
dc.identifier.urihttp://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1064
dc.description.abstractLe rythme effarant avec lequel ont été développées les plus récentes technologies de pointe de l'industrie de la microélectronique, telles que les procédés CMOS à 0.25[mu]m, 0.18[mu]m et bientôt 0.13[mu]m, constitue un exploit directement reliée à l'avancement exceptionnel des techniques de lithographie ces dernières années. Même si les industries de pointe tentent, depuis plusieurs années, de mettre au point des nouvelles techniques de lithographie plus performantes pour remplacer la lithographie optique conventionnelle, aucune de ces techniques n'a acquis, à ce jour, la maturité requise pour supplanter les performances de la lithographie optique au niveau de la productivité et du cost of ownership. Ce mémoire présente un éventail des possibilités de la lithographie par faisceau d'électrons en proposant des solutions précises pour la fabrication de dispositifs électroniques faisant actuellement l'objet de recherches intensives dans leur domaine respectif soit, une nouvelle technique pour la fabrication de siliciures auto-alignés (salicide process)."--Résumé abrégé par UMI.fr
dc.language.isofrefr
dc.publisherUniversité de Sherbrookefr
dc.rights© Sébastien Michelfr
dc.titleConception de procédés pour la fabrication de microcircuits à haute résolution à l'aide de la lithographie par faisceau d'électronsfr
dc.typeMémoirefr
tme.degree.disciplineGénie électriquefr
tme.degree.grantorFaculté de géniefr
tme.degree.levelMaîtrisefr
tme.degree.nameM. Sc. A.fr


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