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Ingénierie de jonctions tunnel pour améliorer les performances du transistor mono-électronique métallique
Other titre : Tunnel junction engineering to improve metallic single electron transistor performances(Université de Sherbrooke, 2016)Résumé: Aujourd’hui plusieurs obstacles technologiques et limitations physiques s’opposent à la poursuite de la miniaturisation de la technologie CMOS : courants de fuite, effet de canal court, effet de porteurs chauds et ...